Hall Mobilite Ölçümleri, Hall Voltajı Ölçümleri, I-V Eğrisi Ölçümleri, Direnç Ölçümleri, Magnetodirenç Ölçümleri, Taşıyıcı Konsantrasyon Ölçümleri, Dört ve Altı Kontaklı Direnç Ölçümleri
Hall Mobilite Ölçümleri, Hall Voltajı Ölçümleri, I-V Eğrisi Ölçümleri, Direnç Ölçümleri, Magnetodirenç Ölçümleri, Taşıyıcı Konsantrasyon Ölçümleri, Dört ve Altı Kontaklı Direnç Ölçümleri
4 kontaklı van der Pauw ölçümleri; 10 mOhm – 10 MOhm Direnç Ölçümleri (<2% ölçüm kararsızlığı) 6 kontaklı Hall Bar ölçümleri; 10 mOhm – 10 MOhm Direnç Ölçümleri (<2% ölçüm kararsızlığı)
Malzeme:
GaAs, InP, InAs, Si, Ge, SiGe, HgCdTe, GaN, SiC, AlN, metal oksitler ve organik iletkenler
Metot:
Hall voltajı, direnç, magnetodirenç ve akım-voltaj karakteristiklerini ölçer ve bunlardan yararlanarak özdirenç, Hall katsayısı, taşıyıcı konsantrasyonu ve taşıyıcı mobilitesini hesaplar.
Ücret:
Açıklama:
Numune kartı içerisine yerleştirilen numune tutucu modülüne numuneleri takarak hızlı bir biçimde ölçümler alınır. Tüm kontaklardaki I-V eğrilerini ölçmek için tek bir profil tanımlanmıştır bu sayede çoklu ölçümleri tek bir seferde yapılmaktadır.
