Metalorganik Kimyasal Buhar Biriktirme Yöntemi (MOCVD)

Bulunduğu Laboratuvar : Kristal Büyütme Lab.

Marka Model:
AIXTRON 200/4 RF-S
Adet:
1
Kapasite:
Teknik Özellik:

2” ve 3” inç alttaşlar üzerinde epitaksiyel büyütme yapabilme Ulaşabileceği maksimum sıcaklık değeri 1450 °C Paslanmaz çelik gövdeden oluşan yatay (horizontal) reaktör Radyo frekans (RF) ısıtma sistemi Trimetil galyum (TMGa), trimetil alüminyum (TMAl) ve trimetil indiyum (TMIn) gazları III grubu için metal organik; Arsin (AsH3), Fosfin (PH3), Amonyak (NH3 ) gazları V grubu için hidrit kaynakları Dimetil çinko (DMZn), karbon tetrabromit (CBr4), biscyclopentadienemagnezyum (CBr2Mg) ve (SiH4) katkı kaynakları Büyütme esnasında yerinde yansıma ve yüzey sıcaklığı ölçümü yapan LUXTRON kontrol birimi

Uygulama:

Nitrat ve arsin/fosfin tabanlı filmlerin epitaksiyel olarak büyütülmesi.